詳細參數

制造商: 英飛凌 

產品種類: IGBT 模塊 

集電極發射極最大電壓 VCEO: 1700 V 

集電極射極飽和電壓: 2.45 V 

在25 C的連續集電極電流: 440 A 

柵極射極漏泄電流: 100 nA 

功率耗散: 1800 W 

最小工作溫度: - 40 C 

最大工作溫度: + 150 C  

柵極發射極最大電壓: +/- 20 V  

包裝數量: 10只

位于17mm IGBT模塊上方的2SC0108T和2SC0435T

17mm 的IGBT模塊在電力電子應用中越來越流行。Fuji、Infineon、IXYS、Mitsubishi、Semikron和DanfossSilicon Power等眾多生產廠商在市場上供應多種17mm封裝的IGBT模塊。

建議不要直接在IGBT模塊上面使用2SC0108T或2SC0435T驅動器，特別是在17mm IGBT模塊上面。開通和關斷瞬間以及特別是在IGBT短路期間的磁場耦合可能會造成驅動器失靈。

AC和DC母線

由于三明結構，層疊直流母排通常產生較低的外部磁場和電場。因此，只要絕緣和電氣間隙充足，門極驅動器可位于直流母排的上方或下方。

但是，涉及交流輸出或橋臂輸出母排的情況則有所不同。輸出電流在輸出母線周圍產生磁場，電場的變化速度通常很高。如果驅動器直接放置在AC母排上方或下方，可能需要進行屏蔽。

這可以采用鐵板（用于低頻屏蔽）或厚鋁板或銅板（用于高頻屏蔽）。流經屏蔽層的渦流電流將會部分補償驅動器附近產生的磁場。

但是，通常建議AC母排和驅動器保持一個最小距離（通常幾厘米就已足夠），以降低磁場對驅動器的影響。一般來說，導通的電流與信號電子元件的相互距離越近，發生電磁影響的風險越高。 

這種可以用數字信號控制的強電開關還有很多種。作為其中的一員，IGBT的特點是，在它這個電流電壓等級下，它支持的開關速度是最高的，一秒鐘可以開關幾萬次。

GTO以前也用在軌道交通列車上，但是GTO開關速度低，損耗大，現在只有在最大電壓電流超過IGBT承受范圍才使用;IGCT本質上也是GTO，不過結構做了優化，

開關速度和最大電壓電流都介于GTO和IGBT之間;大功率mosFET快是快，但不能支持這么大的電壓電流，否則會燒掉。