詳細參數說明

制造商: 英飛凌 

產品種類: IGBT 模塊  

集電極發射極最大電壓 VCEO: 1200 V 

集電極射極飽和電壓: 2.1 V 

在25 C的連續集電極電流: 420 A 

柵極射極漏泄電流: 400 nA 

功率耗散: 1550 W 

最小工作溫度: - 40 C 

最大工作溫度: + 125 C  

高度: 30.5 mm  

長度: 106.4 mm  

寬度: 61.4 mm  

柵極發射極最大電壓: +/- 20 V  

包裝數量: 10只

MOSFET模式（不可用于2SC0108T）

在IGBT模式下，正開通門極電壓可穩定在+15V，負關斷門極電壓為負值，對于SCALE-2驅動核通常為大約-10V。借助MOSFET模式，可將關斷門極電壓設置為0V。

建議按照下面的方法操作以在SCALE-2驅動核上激活MOSFET模式：

1.將副邊端子COMx和VEx連接在一起。這必須在驅動器電源關斷的情況下執行，否則可能會損壞次級ASICIGD。

如有必要，可使用下圖中的支撐電容C21。支撐電容C22不再需要，因為它們已經被短路。

2.選擇開通時所需的門極-發射極電壓。原方電源電壓VCC仍需要為+15V。改變原方的VDC使副方VISOx到COMx的電壓調節到10V到20V之間。這對應于門極的導通電壓。

VDC至VISOx-COMx的傳輸比的典型值為1.67。副方的欠壓保護點從IGBT模式下的12.6V變為MOSFET模式下的8.75V（典型值）。VDC電壓在

MOSFET模式下低于大約5.2V會產生欠壓故障。例如，VDC=6V通?？僧a生10V的正門極導通電壓。但是請注意，此值取決于驅動器輸出功率和溫度。

3.VCE檢測的參考電壓Vth（需要使用Rth設定）必須設置為不低于4V的值（參考COMx）。

請注意，MOSFET模式設計主要用于實現超快速MOSFET開關。因此，開關延遲需要降到最小，這樣就需要單電源驅動電壓。

MOSFET的門極-發射極開通閾值電壓較低。因此，MOSFET模式的使用不是總被推薦的，而需要視應用而定。

IGBT模式也可以用于驅動MOSFET，因為關斷狀態下的負的門極-發射極電壓可以避免寄生導通。

從功能上來說，IGBT就是一個電路開關，用在電壓幾十到幾百伏量級、電流幾十到幾百安量級的強電上的。

(相對而言，手機、電腦電路板上跑的電電壓低，以傳輸信號為主，都屬于弱電。)

可以認為就是一個晶體管，電壓電流超大而已。