此款電源管理模塊 FZ1500R33HE3IGBT 的轉移特性是

指輸出漏極電流 Id 與柵源電壓 Ugs 之間的 關系曲線。它與 MOSFET 的轉移特性相同，當柵源電壓小于開啟電 壓 Ugs(th) 時， IGBT 處于關斷狀 態。在 IGBT 導通后的大部分漏極電 流范圍內， Id 與 Ugs 呈線性關系。最高柵源電 壓受最大漏極電流限 制，其最佳值一般取為 15V 左右。 IGBT 的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。 IGBT 處于導通態時，由于 它的 PNP 晶體管為寬基區晶體管，所以其 B 值 極低。盡管等效電路為達林頓結構，但 流過 MOSFET 的電流成為 IGBT 總電流的主要部分。此時，通態電壓 Uds(on) 可用下 式表示 Uds(on) ＝ Uj1 ＋ Udr ＋ IdRoh （ 2 － 14 ） 式中 Uj1 —— JI 結的正向電壓，其值為 0.7 ～ IV ； Udr ——擴展電阻 Rdr 上的壓降； Roh ——溝道電阻。 通態電流 Ids 可用下式表示： Ids=(1+Bpnp)Imos (2 － 15 ） 式中 Imos ——流過 MOSFET 的電流。由于 N+ 區存在電導調制效應，所以 IGBT 的通態壓降小，耐壓 1000V 的 IGBT 通態壓降為 2 ～ 3V 。 IGBT 處于斷態時，只有很小的泄漏電流存在。 2 ．動態特性 IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為 MOSFET 來運行的，只是在 漏源電壓 Uds 下降過程后期， PNP 晶體 管由放大區至飽和，又增加了一段延遲時間。 td(on) 為開通延遲時間， tri 為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間 ton 即為 td (on) tri 之和。漏源電壓的下降時間由 tfe1 和 tfe2 組成，IGBT 在關斷過程中，漏極電流的波形變為兩段。因為 MOSFET 關斷后， PNP 晶體 管的存儲電荷難以迅速消除，造成漏極電流較長的尾部時間， td(off) 為關斷延遲時間， trv 為電壓 Uds(f) 的上升時間。實際應用中常常給出的漏極電流的下降時間 Tf 由圖 2 － 59 中的 t(f1) 和 t(f2) 兩段組成，而漏極電流的關斷時間