詳細資料

制造商: 英飛凌 

產品種類: IGBT 模塊 

集電極發射極最大電壓 VCEO: 3300 V 

集電極射極飽和電壓: 3.4 V 

在25 C的連續集電極電流: 330 A 

柵極射極漏泄電流: 400 nA 

功率耗散: 2.2 kW 

最小工作溫度: - 40 C 

最大工作溫度: + 125 C 

高度: 38 mm  

長度: 140 mm  

寬度: 73 mm   

柵極發射極最大電壓: +/- 20 V  

包裝數量: 4只

FF200R33KF2C IGBT 的工作原理和工作特性 IGBT 的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給 PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，流過反向基極電流，使 IGBT 關斷。 IGBT 的驅動方法和 MOSFET 基本相同，只需控制輸入極 N 一溝道 MOSFET ，所以具有高輸 入阻抗特性。 當 MOSFET 的溝道形成后，從 P+ 基極注入到 N 一層的空穴（少子），對 N 一 層進行電導調制，減小 N 一層的電阻，使 IGBT 在高電壓 時，也具有低的通態電壓。

由于報錯信號SO的管腳直接連到ASIC中，其內部為漏極開路電路，因此這個管腳對噪聲比較敏感。如果有噪聲進入這個管腳，CMOS工藝的ASIC可能會出現閂鎖效應，導致錯誤出現。

如下圖所示，上拉電阻R4放在控制器一側，中間用長線連接至驅動器，在沒有故障的情況下 在沒有故障的情況下，SO管腳呈現高阻狀態。且連接線越長，SO腳對噪聲越敏感。

對于SO信號的處理，有以下方法：

1. SO信號必須有明確的電位，最好就近上拉；

2. SO信號 過長線傳輸時 經過長線傳輸時，可以考慮配合門電路，以提高電壓信號抗擾能力，且接收端要配合阻抗合適的下拉電阻；

3. SO接10歐姆電阻，再用肖特基二極管做上下拉鉗位保護；控制器端用電阻上拉

注意事項：

1. 如果用二極管串聯至SO信號取“或”，必須先上拉再取 必須先上拉再取“或”，因為 極管平 二常是開路的，SO信號電位不確定。

2. SO是漏極開路電路，不同的SO可以直接短接進行“線與”。